普通来说，电动车行使三相电机，这须要杂乱的电压波形举行电力推动。电池供给固定电压的直流电。因而，逆变器通过正在加快时将直流转换为调换电，并正在制动（再生）

普通来说，电动车行使三相电机，这须要杂乱的电压波形举行电力推动。电池供给固定电压的直流电。因而，逆变器通过正在加快时将直流转换为调换电，并正在制动（再生）时将调换电转换为直流电，从而天生适合电机限度速率、驱动扭矩和功率的电压。

IGBT电功率器件：行为反应驱动信号的开闭筑筑来操作功率模块。IGBT正在高电流和高速要求下运转，以餍足车辆的高功能哀求。目前，正在高电压架构的车型中，有慢慢从IGBT切换到SiC的趋向。

散热片：正在逆变器运转时代，通过散热来低落更高的温度，以改革高功能的要求。行使双液冷却等更好的技艺，散热片的冷却功能一直降低。

这些逆变器的功能哀求是：体积小（紧要的是要确保编制能够安置正在车辆上）；降低能效，伸张电动车的续航里程；高输出，供给相宜的加快功能；正在车辆内的卑劣情况中事业的牢靠性。

逆变器架构紧要有两品种型。第一种是只身包装的盒式逆变器。它平时被很众OEM和Tier1行使。它们具有易于拼装和模块化的便宜。第二种是集成逆变器计划，这是传动编制的一个人。电机、变速器和逆变器被封装到统一个外壳中（好比Tesla）。

断定逆变器功能的环节身分之一是用于开闭技艺的半导体类型。目前，四种分歧类型的半导体开闭技艺正用于电动车的逆变器。包罗硅基的筑筑，如MOSFET和IGBT，以及基于宽带间隙原料（SiC或GaN）的开闭器件。

电动车目前紧要行使硅基逆变器，但跟着电动化程度的降低，转向基于SiC晶体管的逆变器，紧要用于650V以上的编制。这是由于与基于SiC和GaN的WBG筑筑比拟，Si MOSFET和IGBT的功效和功能较低。SiC供给更高的电场击穿才具、更好的导热性、更高的温度操作才具和更高的开闭频率，这是因为较宽的电子带隙，从而比硅基半导体器件的损耗更低。SiC原料还能够最大控制地节减开闭损耗。

GaN具有一样的本质，但其带隙（3.4电子伏特）高于SiC（3电子伏特）。GaN的固有特点具有更疾的开闭才具，进一步降低了逆变器的功能。正在某些电压架构下，GaN的功效乃至高于SiC。

GaN正在车辆逆变器中如故是相对较新的技艺。然而，它具有行使硅衬底的上风，因而本钱要低得众。这些半导体的功率密度较高，使逆变器更小、更轻。

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